IT之家5月31日消息，据BusinessKorea报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估计，韩国在DRAM技术方面比中国领先5年，NAND闪存方面领先2年。
该研究机构在5月30日表示，今年中国的DRAM制造商长鑫存储正在推动第二代10nm级（1y或16纳米至17纳米）DRAM的大规模生产。另一方面，三星电子和SK海力士正计划在今年年底或明年大规模生产第五代10nm级（1b或12纳米至13纳米）DRAM。考虑到每一代的技术差距约为两年到两年半，两国的技术差距超过五年。
特别是，三星和SK海力士已经引进了用于超微制造工艺的极紫外光（EUV）设备，或正计划引进，但由于中国公司很难引进EUV设备，为此许多专家表示，中国要缩小与韩国的技术差距并不容易。
中国芯片制造商的良率也很低。OERI分析说，2019年开始批量生产第一代10nm级（1x或18纳米至19纳米）DRAM的长鑫存储，即使两年过去了，其良率仍在75%左右挣扎。据了解，其第二代DRAM的良率也在40%左右。分析师说，长鑫存储的DRAM市场份额，截至去年年底还不到1%，不会出现大幅反弹。
IT之家了解到，在NAND闪存方面，该机构估计中国与韩国的技术差距约为两年。中国存储半导体公司长江存储在2021年8月开始大规模生产第六代（128层）3DNAND闪存，三星和SK海力士自2019年以来一直在大规模生产该闪存。韩国公司计划从今年年底到明年年初大规模生产超过200层的NAND闪存，但长江存储预计要到2024年才能做到。
然而，一个变数是，苹果目前正在考虑在iPhone中使用长江存储的NAND闪存。在这种情况下，预计长江存储将通过扩大投资大力追逐韩国芯片制造商。特别是，NAND闪存领域与DRAM行业不同，是一个成长中的行业，所以有很多变数。专家说，如果有五六家NAND闪存公司迅速扩大产能，就会出现价格竞争，这可能会使NAND闪存市场份额的排名发生变化。
此外该机构还称，韩国在代工技术方面领先中国约5年。目前，韩国的三星电子和中国台湾的台积电正在大规模生产4至5纳米的芯片。另一方面，中国的中芯国际处于14纳米的水平，落后两到三代。
