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碳化硅(SiC)作为一种重要的半导体材料,在现代电子行业中扮演着重要的角色。晶圆是半导体制造过程中的关键组成部分,SiC单晶晶圆具有优异的电学性能和热学性能,因此被广泛应用于功率器件、射频器件等领域。N型硅碳化物是SiC单晶的一种形态,其电子迁移率高,使其在功率器件中具有较好的性能表现。2英寸晶圆和2英寸单晶是晶体生长技术中常见的规格,4H-N SiC锭和150毫米碳化硅单晶则是SiC晶体生长中的常见产品。SiC基板晶圆是制备SiC器件的关键材料,其优异的热导性和机械性能使得SiC器件具有更高的工作温度和更好的可靠性。SiC晶体锭是SiC单晶的一种形式,其高纯度和大尺寸使得其在半导体行业中有着广泛的应用前景。碳化硅的发展和应用将进一步推动半导体行业的发展,为电子产品的性能提升和节能减排做出贡献。